發(fā)展第三代半導(dǎo)體,別讓基礎(chǔ)研究成“絆腳石”
“寬禁帶半導(dǎo)體就像一個小孩,還沒長好就被拉到市場上去應(yīng)用?!痹?1月8日至9日召開的香山科學(xué)會議上,中科院院士、中科院半導(dǎo)體所研究員夏建白打的比方引起不少與會專家的共鳴。
夏建白所說的寬禁帶半導(dǎo)體又被稱為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等材料是其主要代表。
如果說以硅為代表的第一代半導(dǎo)體是集成電路的基石,第二代半導(dǎo)體如砷化鎵促成了信息高速公路的崛起的話,那么第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一,是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。
現(xiàn)在的問題是,快速發(fā)展的第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè),特別是深紫外發(fā)光和激光領(lǐng)域被基礎(chǔ)研究絆住了腳。
上帝的禮物還是難題?
如果你依然對第三代半導(dǎo)體材料感到陌生,可以抬頭看看家中無處不在的LED(發(fā)光二極管)燈。
氮化鎵基藍光LED的發(fā)明使高效白光LED照明得以實現(xiàn),引起了人類照明光源的又一次革命。日本科學(xué)家赤崎勇、天野浩和美籍日裔科學(xué)家中村修二也因該工作獲得了2014年諾貝爾物理學(xué)獎。
北京大學(xué)物理學(xué)院教授沈波說,氮化鎵基藍光LED的發(fā)明就像“上帝的禮物”降臨人間,然而隨著相關(guān)應(yīng)用快速推向市場,人們逐漸發(fā)現(xiàn),這個禮物里藏著很多難題。
難題何來?
夏建白告訴記者,第一代半導(dǎo)體硅經(jīng)過幾十年的發(fā)展,產(chǎn)業(yè)發(fā)展和基礎(chǔ)研究齊頭并進,基礎(chǔ)扎實。相比之下,日本人開始研究第三代半導(dǎo)體時,很多人認(rèn)為氮化鎵材料的缺陷太多,難以做成高效光電器件。沒想到日本竟然把藍光LED做出來了,緊跟著就是市場的快速爆發(fā)。
“市場發(fā)展非??欤A(chǔ)研究卻跟不上了?!毕慕ò渍f,這是目前第三代半導(dǎo)體發(fā)展面臨的困境。
中科院長春光學(xué)精密機械與物理研究所研究員劉可為把氮化鎵基藍光LED的發(fā)明比作做蛋糕。蛋糕做出來了,它的美味得到市場認(rèn)可,但其中很多原理卻不太清楚,因此當(dāng)市場需要更美味的蛋糕時,遇到了麻煩。
市場倒逼基礎(chǔ)研究加速
氮化鎵基藍光LED僅僅是一個開端,第三代半導(dǎo)體的確有潛力做出更大、更美味的蛋糕。
“第三代半導(dǎo)體材料除具有優(yōu)異的光電特性外,還具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強、介電常數(shù)低等優(yōu)越性能。”中科院長春光學(xué)精密機械與物理研究所研究員申德振介紹,因此它們在短波發(fā)光、激光、探測等光電子器件和高溫、高壓、高頻大功率的電子電力器件領(lǐng)域有廣闊應(yīng)用前景。
其用武之地不勝枚舉:在節(jié)能電力電子領(lǐng)域,有半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)、高速列車等;在信息工程領(lǐng)域,有可見光通訊、海量光存儲、高速計算等;在國防建設(shè)領(lǐng)域,有紫外探測器、微波器件等。
以發(fā)光和激光領(lǐng)域為例,申德振介紹,第三代半導(dǎo)體在高性能的紫外、深紫外發(fā)光和激光在生化探測、殺菌消毒、精密光刻、高精密激光加工等領(lǐng)域有重大應(yīng)用價值。
“但在藍光之后,想將第三代半導(dǎo)體往波長更短的紫外、深紫外發(fā)光和激光方向應(yīng)用時,卻發(fā)現(xiàn)還有很多重大的科學(xué)問題尚待解決。”劉可為說,這些重大的科學(xué)問題包括第三代半導(dǎo)體的P型摻雜、第三代半導(dǎo)體的點缺陷問題以及大尺寸、高精度的襯底制備技術(shù)等。
可以說,市場應(yīng)用在倒逼基礎(chǔ)研究加快進度。
劉可為告訴記者,僅就藍光LED而言,目前國內(nèi)產(chǎn)業(yè)規(guī)模巨大,核心專利和技術(shù)集中在日本和美國。但整體而言,國內(nèi)外對第三代半導(dǎo)體的基礎(chǔ)研究都相對薄弱。
“我國應(yīng)加大在第三代半導(dǎo)體紫外、深紫外發(fā)光和激光等領(lǐng)域的投入,解決該領(lǐng)域的核心科學(xué)和技術(shù)難題,爭取擁有更多具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)?!鄙甑抡裾f。(劉園園)*
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