最近，俄羅斯國家研究型技術大學莫斯科國立鋼鐵合金學院（NUST MISIS）工作人員提出了一種層狀二硫化鉭隱藏潛在狀態(tài)的形成理論，從而確證了二硫化鉭可用來長期儲存信息，并能以超快速度處理信息。相關論文發(fā)表在《科學報告》雜志上。

　　二硫化鉭是一種富有前景的現(xiàn)代微電子材料。謝爾蓋?布拉佐夫斯基2014年與斯洛文尼亞的同行一起，發(fā)現(xiàn)了其隱藏潛在狀態(tài)。他們用超短激光或電子脈沖照射尺寸小于100納米的二硫化鉭樣本，使樣本從絕緣體變成了導體（或者相反），轉變速度比現(xiàn)代計算機中充作記憶載體的最快材料還要快幾倍，且狀態(tài)在受照射后并未消失，而是保存下來。由此顯示，這種材料有潛力成為新一代信息載體的候選。

　　研究人員解釋：“在斯洛文尼亞同行發(fā)現(xiàn)物質在普通相位躍遷時所無法達到的隱藏潛在狀態(tài)后，各種雜志中涌現(xiàn)出一大波這方面的科研文章。但是，大量文章只是試驗性的，而理論滯后。也就是說，在許多實驗室中都可以得到這種狀態(tài)，但為何得到的恰好就是這種狀態(tài)，它的形成機制如何，整體而言它的性質如何，仍不得而知?，F(xiàn)在，我們探尋了發(fā)生過程的理論基礎。”這一理論模型可用于描述新發(fā)現(xiàn)狀態(tài)的最重要的性質：納米結構鑲嵌塊的形成和轉變。